半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體分立器件參數(shù)測試儀系統(tǒng)可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on)）以及IV特性曲線等

一、產(chǎn)品信息及規(guī)格

產(chǎn)品型號：STD2000

產(chǎn)品名稱：半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

主機(jī)尺寸：深660*寬430*高210(mm)

主機(jī)重量：＜35kg

主機(jī)功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超過4000m；

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）；

相對濕度：20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護(hù)條件：無較大灰塵，腐蝕或BZ性氣體，導(dǎo)電粉塵等；

電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作時間：連續(xù)；

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

三代半：優(yōu)秀的性能應(yīng)對第三代半導(dǎo)體及傳統(tǒng)器件，Si, sic,GaN 器件

測試品類：覆蓋25 類常見的電子元器件及 IC 類，且支持定制擴(kuò)展

功能豐富：輕松表征元器件“靜態(tài)特性”“IV 曲線”“Cxss”“CV”

分析篩選：功能全面，配置豐富，勝任實(shí)驗(yàn)室場景中各類電參數(shù)表征

量產(chǎn)測試：1h高達(dá) 7K~12K 的測試效率，可連接“分選機(jī)”“編帶機(jī)”Prober 接口、16Bin

一鍵加熱：一鍵脈沖自動加熱至+130°C，耗時< 1s

高壓源：1400V (選配 2KV)

高流源：40A(選配 100A,200A,500A)

驅(qū)動電壓：20V/10uA~100mA (選配+40V/10uA~100mA)

漏電測量：1nA 漏電持續(xù)穩(wěn)定測量，表現(xiàn)出優(yōu)秀的一致性和穩(wěn)定性，更有1.5pA 微電流測量選件可供選擇。

高精度：16 位 ADC/DAC，0.1%精度，1M/S采樣速率

程控軟件：基于Lab VIEW 平臺開發(fā)的填充式菜單軟件界面

夾具工裝：適配各類封裝形式的器件，自動識別器件極性NPN/PNP

校準(zhǔn)：系統(tǒng)自帶校準(zhǔn)軟件，也可通過RS232 接口連接數(shù)字表進(jìn)行校驗(yàn)

三、測試范圍

01. Diode / 二極管（穩(wěn)壓、瞬態(tài)、三端肖特基、TVS、整流橋、三相整流橋）

02. BJT / 三極管

03. Mosfet & JFET / 場效應(yīng)管

04. SCR / 可控硅（單向/雙向）

05. IGBT / 絕緣柵雙極大功率晶體管

06. OC / 光耦

07. Relay / 繼電器

08. Darlington tube / 達(dá)林頓陣列

09. Current sensor/電流傳感器

10. 基準(zhǔn)IC(TL431)

11. 電壓復(fù)位IC

12. 穩(wěn)壓器（三端/四端）

13. 三端開關(guān)功率驅(qū)動器

14. 七端半橋驅(qū)動器

15. 高邊功率開關(guān)

16. 電壓保護(hù)器（單組/雙組）

17. 開關(guān)穩(wěn)壓集成器

18. 壓敏電阻

19.電壓監(jiān)控器

四、測試參數(shù)

漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

擊穿參數(shù)：BVCEO BVCES(300μPulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、IIN(Regulator)

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS

間接參數(shù)：IL

混合參數(shù)：RDSON、gFS、Input@Output / Regulation

五、應(yīng)用場景

1、測試分析（功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測試，主要功能為曲線追蹤儀）

2、失效分析（對失效器件進(jìn)行測試分析，查找失效機(jī)理。以便于對電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過程提出改善方案）

3、選型配對（在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測試，將測試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對）

4、來料檢驗(yàn)（研究所及電子廠的質(zhì)量部（IQC）對入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢，把控器件的良品率）

5、量產(chǎn)測試（可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類輔助機(jī)械設(shè)備，實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、自動化測試）

6、替代進(jìn)口（半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)可替代同級別進(jìn)口產(chǎn)品）

六、性能指標(biāo)