BW-3022A

晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀

品牌： 博微電通

名稱：分立器件測(cè)試儀/半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀/晶體管參數(shù)測(cè)試儀

型號(hào)： BW-3022A

用途： 針對(duì)二極管、三極管、MOSFET、JFET、三端穩(wěn)壓器IC、基準(zhǔn)器TL431、雙向可控硅等提供15種主要參數(shù)的測(cè)試，及測(cè)試參數(shù)”合格/不合格”(OK/NO)判斷測(cè)試。

BW-3022A產(chǎn)品介紹：

BW-3022A晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀用于半導(dǎo)體電子元器件及IC的靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試，測(cè)試種類包括 二極管、三極管、MOSFET、JFET、三端穩(wěn)壓器IC、基準(zhǔn)器TL431、雙向可控硅等，電流分辨率1uA,測(cè)試電壓可達(dá)1500V，中文軟件界面友好,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的操作和編程,提供了快速的一次測(cè)試條件和測(cè)試參數(shù)的設(shè)定,測(cè)試條件及數(shù)據(jù)同步存入EEPROM中，BW-3022A晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀為雙極型晶體管.MOS場(chǎng)效應(yīng)管，J型場(chǎng)效應(yīng)二極管等提供了15種主要參數(shù)的測(cè)試,和參數(shù)”合格/不合格”(OK/NO)測(cè)試。操作簡(jiǎn)便，實(shí)用性強(qiáng)。廣泛應(yīng)用與半導(dǎo)體電子行業(yè)、新能源行業(yè)、封裝測(cè)試、家電行業(yè)、科研教育等領(lǐng)域來料檢驗(yàn)、產(chǎn)品選型等重要檢測(cè)設(shè)備之一。

產(chǎn)品電氣參數(shù)：

產(chǎn)品信息

產(chǎn)品型號(hào)：BW-3022A

產(chǎn)品名稱：晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀；

物理規(guī)格

主機(jī)尺寸：深 305*寬 280*高 120(mm)

主機(jī)重量：＜4.5Kg

主機(jī)顏色：白色系

電氣環(huán)境

主機(jī)功耗：＜75W

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）；

相對(duì)濕度：≯85%；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護(hù)條件：無較大灰塵，腐蝕或可燃性氣體，導(dǎo)電粉塵等；

電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作時(shí)間：連續(xù)；

服務(wù)領(lǐng)域：

應(yīng)用場(chǎng)景：

產(chǎn)品特點(diǎn)：

?大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡(jiǎn)潔,操作方面簡(jiǎn)單

?大容量EEPROM存儲(chǔ)器,儲(chǔ)存量可多達(dá)2000種設(shè)置型號(hào)數(shù).

?全部可編程的DUT恒流源和電壓源.

?內(nèi)置繼電器矩陣自動(dòng)連接所需的測(cè)試電路,電壓/電流源和測(cè)試回路.

?高壓測(cè)試電流分辨率1uA,測(cè)試電壓可達(dá)1500V；

?重復(fù)”回路”式測(cè)試解決了元件發(fā)熱和間歇的問題；

?軟件自校準(zhǔn)功能；

?自動(dòng)測(cè)試測(cè)DUT短路、開路或誤接現(xiàn)象,如果發(fā)現(xiàn),就立即停止測(cè)試；

?DUT的功能檢測(cè)通過LCD顯示出被測(cè)器件/DUT的類型，顯示測(cè)試結(jié)果是否合格,并有聲光提示；

?整流二極管測(cè)試能自動(dòng)識(shí)別引腳功能,并自動(dòng)轉(zhuǎn)換矩陣開關(guān)進(jìn)行參數(shù)測(cè)試.顯示對(duì)應(yīng)引腳功能號(hào)；

?兩種工作模式：手動(dòng)、自動(dòng)測(cè)試模式。

BW-3022A測(cè)試技術(shù)指標(biāo)：

1、整流二極管,三端肖特基:

1.1 耐壓(VRR)測(cè)試指標(biāo)

1.2導(dǎo)通正向壓降(VF)

2 、N型三極管

2.1 輸入正向壓降(Vbe)

2.2 耐壓(Bvceo)測(cè)試指標(biāo)

2.3 直流放大倍數(shù)(HEF)

2.4 輸出飽和導(dǎo)通壓降(Vsat)

3、P型三極管

3.1 輸入正向壓降(Vbe)

3.2 耐壓(Bvceo)測(cè)試指標(biāo)

3.3 直流放大倍數(shù)(HEF)

3.4 輸出飽和導(dǎo)通壓降(Vsat)

4、N,P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管

4.1輸入啟動(dòng)電壓(VGS(th))

4.2耐壓(Bvds)測(cè)試指標(biāo)

4.3導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson)

5、三端穩(wěn)壓IC

5.1 輸出電壓(Vo)

6、基準(zhǔn)IC 431

6.1輸出電壓(Vo)

7、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

7.1漏極飽和電流(Idss)

7.2耐壓(Bvds)測(cè)試指標(biāo)

7.3夾斷電壓(Vgs(off))

7.4共源正向跨導(dǎo)(gm)

8、雙向可控硅

8.1導(dǎo)通觸發(fā)電流(IGT)

8.2導(dǎo)通觸發(fā)電壓(VGT)

8.3耐壓(VDRM/VRRM)

8.4通態(tài)壓降(VTM)

8.5保持電流(IH)

詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)登錄官網(wǎng)：www.sxbwdt.cn 或聯(lián)系廠家索要產(chǎn)品資料。